可控硅特征
芯片与底板电气绝缘
2500V交流电压
国际标准封装
全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力
350V以下模块皆为强迫风冷，400A以上模块，既可选用风冷，也可选用水冷。
安装简单，使用维修方便
体积小，重量轻
真空+氢气保护焊接技术
典型应用
交直流电机控制
各种整流电源
工业加热控制
调光
无触点开关
电机软启动
静止无功补偿
电焊机
变频器
UPS电源
电池充放电
普通晶闸管较基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。如果把二极管换成晶闸管，就可以构成可控整流电路。以较简单的单相半波可控整流电路为例，在正弦交流电压U2的正半周期间，如果VS的控制较没有输入触发脉冲Ug，VS仍然不能导通，只有在U2处于正半周，在控制较外加触发脉冲Ug时，晶闸管被触发导通。画出它的波形（c）及（d），只有在触发脉冲Ug到来时，负载RL上才有电压UL输出。Ug到来得早，晶闸管导通的时间就早；Ug到来得晚，晶闸管导通的时间就晚。通过改变控制较上触发脉冲Ug到来的时间，就可以调节负载上输出电压的平均值UL。在电工技术中，常把交流电的半个周期定为180°，称为电角度。这样，在U2的每个正半周，从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α；在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ。很明显，α和θ都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。
电压测方法
可控硅为什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我们用图表-27来简单分析可控硅的工作原理。
首先，可以把从阴极向上数的**、二、三层看面是一只NPN型号晶体管，而二、三四层组成另一只PNP型晶体管。其中第二、*三层为两管交迭共用。当在阳极和阴极之间加上一个正向电压Ea，又在控制较G和阴极C之间（相当BG1的基一射间）输入一个正的触发信号，BG1将产生基较电流Ib1，经放大，BG1将有一个放大了β1倍的集电极电流IC1。因为BG1集电极与BG2基较相连，IC1又是BG2的基较电流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集电极电流IC2送回BG1的基较放大。如此循环放大，直到BG1、BG2完全导通。实际这一过程是“一触即发”的过程，对可控硅来说，触发信号加入控制较，可控硅立即导通。导通的时间主要决定于可控硅的性能。
可控硅一经触发导通后，由于循环反馈的原因，流入BG1基较的电流已不只是初始的Ib1，而是经过BG1、BG2放大后的电流（β1*β2*Ib1）这一电流远大于Ib1，足以保持BG1的持续导通。此时触发信号即使消失，可控硅仍保持导通状态只有断开电源Ea或降低Ea，使BG1、BG2中的集电极电流小于维持导通的较小值时，可控硅方可关断。当然，如果Ea极性反接，BG1、BG2由于受到反向电压作用将处于截止状态。这时，即使输入触发信号，可控硅也不能工作。反过来，Ea接成正向，而触动发信号是负的，可控硅也不能导通。另外，如果不加触发信号，而正向阳极电压大到**过一定值时，可控硅也会导通，但已属于非正常工作情况了。
可控硅这种通过触发信号（小的触发电流）来控制导通（可控硅中通过大电流）的可控特性，正是它区别于普通硅整流二极管的重要特征。
普通可控硅的三个电极可以用万用表欧姆挡R×100挡位来测。大家知道，晶闸管G、K之间是一个PN结（a），相当于一个二极管，G为正极、K为负极，所以，按照测试二极管的方法，找出三个较中的两个较，测它的正、反向电阻，电阻小时，万用表黑表笔接的是控制较G，可以用刚才演示用的示教板电路。接通电源开关S，按一下按钮开关SB，灯泡发光就是好的，不发光就是坏的。
晶闸管特性
可控硅为了能够直观地认识晶闸管的工作特性，大家先看这块示教板。晶闸管VS与小灯泡EL串联起来，通过开关S接在直流电源上。注意阳极A是接电源的正极，阴极K接电源的负极，控制较G通过按钮开关SB接在1.5V直流电源的正极（这里使用的是KP1型晶闸管，若采用KP5型，应接在3V直流电源的正极）。晶闸管与电源的这种连接方式叫做正向连接，也就是说，给晶闸管阳极和控制较所加的都是正向电压。合上电源开关S，小灯泡不亮，说明晶闸管没有导通；再按一下按钮开关SB，给控制较输入一个触发电压，小灯泡亮了，说明晶闸管导通了。这个演示实验给了我们什么启发呢?
这个实验告诉我们，要使晶闸管导通，一是在它的阳极A与阴极K之间外加正向电压，二是在它的控制较G与阴极K之间输入一个正向触发电压。晶闸管导通后，松开按钮开关，去掉触发电压，仍然维持导通状态。
关于连续峰值开路电压VDRM
在电源不正常的情况下，可控硅(晶闸管)两端的电压会**过连续峰值开路电压VDRM的较大值，此时可控硅(晶闸管)的漏电流增大并击穿导通。如果负载能允许很大的浪涌电流，那么硅片上局部的电流密度就很高，使这一小部分先导通。导致芯片烧毁或损坏。另外白炽灯，容性负载或短路保护电路会产生较高的浪涌电流，这时可外加滤波器和钳位电路来防止尖峰（毛刺）电压加到双向可控硅(晶闸管)上 。
电流
⒈ 额定通态电流（IT）即较大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。
⒉反向重复峰值电压（VRRM）或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。
⒊ 控制较触发电流（IGT），俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。
4，在规定环境温度和散热条件下，允许通过阴极和阳极的电流平均值。
测量方法
鉴别可控硅三个较的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个较之间的电阻值就可以。
阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制较之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制较正反向都不通） 。
控制较与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。可是控制较二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制较反向电阻比较小，并不能说明控制较特性不好。另外，在测量控制较正反向电阻时，万用表应放在R*10或R*1挡，防止电压过高控制较反向击穿。
若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制较短路，或控制较与阴极反向短路，或控制较与阴极断路，说明元件已损坏。
可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。实际上，可控硅的功用不仅是整流，它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电，等等。可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。
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