SDB--IGBT
鉴于目前厂家对IGBT的开发非常重视,三星、快捷等公司采用SDB(硅片直接键合)技术,在IC生产线上制作*四代高速IGBT及模块系列产品,特点为高速,低饱和压降,低拖尾电流,正温度系数易于并联,在600V和1200V电压范围性能优良,分为UF、RUF两大系统。
![常州FP75R12KT3IGBT模块](//l.b2b168.com/2019/03/27/18/201903271818049223104.jpg)
U-IGBT
U(沟槽结构)--IGBT是在管芯上刻槽,芯片元胞内部形成沟槽式栅较。采用沟道结构后,可进一步缩小元胞尺寸,减少沟道电阻,进步电流密度,制造相同额定电流而芯片尺寸较少的产品。现有多家公司生产各种U—IGBT产品,适用低电压驱动、表面贴装的要求。
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判断好坏
将万用表拨在R×10KΩ挡,用黑表笔接IGBT 的集电极(C),红表笔接IGBT 的发射较(E),此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅较(G)和集电极(C),这时IGBT 被触发导通,万用表的指针摆向阻值较小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅较(G)和发射较(E),这时IGBT 被阻断,万用表的指针回零。此时即可判断IGBT 是好的。
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