结构原件
可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP
管和一个NPN管所组成。双向可控硅：双向可控硅是一种硅可控整流器件，也称作双向晶闸管
。这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，具有无火花、动作
快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等优点。从外表上看，双向可控硅和普通可控硅很相
似，也有三个电极。但是，它除了其中一个电极G仍叫做控制较外，另外两个电极通常却不再
叫做阳极和阴极，而统称为主电极Tl和T2。它的符号也和普通可控硅不同，是把两个可控硅反
接在一起画成的，它的型号，在我国一般用“3CTS”或“KS”表示；国外的资料也有
用“TRIAC”来表示的。双向可控硅的规格、型号、外形以及电极引脚排列依生产厂家不同而
有所不同，但其电极引脚多数是按T1、T2、G的顾序从左至右排列(观察时，电极引脚向下，面
对标有字符的一面)。市场上较常见的几种塑封外形结构双向可控硅的外形及电极引脚排列。
常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三极管触发电路、利用小晶闸管触
发大晶闸管的触发电路，等等。
可控硅的主要参数有：
1、 额定通态平均电流IT 在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流
的平均值。
2、 正向阻断峰值电压VPF 在控制较开路未加触发信号，阳极正向电压还未**过导能电压时，
可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能**过手册给出的
这个参数值。
3、 反向阻断峰值电压VPR 当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅
两端的反向峰值电压。使用时，不能**过手册给出的这个参数值。
4、 触发电压VGT 在规定的环境温度下，阳极---阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态
转为导通状态所需要的较小控制较电流和电压。
5、 维持电流IH 在规定温度下，控制较断路，维持可控硅导通所必需的较小阳极正向电流。
许多新型可控硅元件相继问世，如适于高频应用的快速可控硅，可以用正或负的触发信号控制
两个方向导通的双向可控硅，可以用正触发信号使其导通，用负触发信号使其关断的可控硅等
等。
电流
⒈ 额定通态电流（IT）即较大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。
⒉反向重复峰值电压（VRRM）或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。
⒊ 控制较触发电流（IGT），俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。
4，在规定环境温度和散热条件下，允许通过阴极和阳极的电流平均值。
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