二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可
各种二极管的符号
各种二极管的符号
分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二较
管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管
、旋转二极管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管
。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝
一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。由于是点接触，只允许通过
贴片二极管
贴片二极管
较小的电流（不**过几十毫安），适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。面接触型二较
管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流（几安到几十安），主要用于把交流电变换成直
流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通过较大的电流，而
且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。
早期的真空电子二极管；它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个
PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的传导性。一般来讲，
晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间
电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流
和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。
晶体二极管，简称二极管（diode）；它只往一个方向传送电流的电子零件。它是一种具有1个
零件号接合的2个端子的器件，具有按照外加电压的方向，使电流流动或不流动的性质。晶体
二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的PN结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有
自建电场。当不存在外加电压时，由于PN 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引
起的漂移电流相等而处于电平衡状态
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并
建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场
引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互
相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和
自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。
当外加的反向电压高到一定程度时，pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍
增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。pn
结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分
雪崩击穿
另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而
与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空
穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为
雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结性损坏。
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